Utilize este identificador para referenciar este registo: https://hdl.handle.net/10316/25194
Título: Filmes e géis de polielectrólitos conjugados para aplicações em sensores e sistemas optoelectrónicos
Autor: Pragana, Joana Inês Marques 
Orientador: Burrows, Hugh D.
Costa, Telma
Fonseca, Sofia
Data: Set-2013
Citação: Pragana, Joana Inês Marques - Filmes e géis de polielectrólitos conjugados para aplicações em sensores e sistemas optoelectrónicos. Coimbra, 2013. Tese de Mestrado
Resumo: Neste trabalho foi estudada a interação do polímero poli[9,9-bis (4-sulfonilbutoxifenil) fluoreno-co-1,4-fenileno] (PBS-PFP) e do o dibrometo de poli{9,9-bi[6-N,N,N-trimetilamonio) hexa] fluoreno-co-1,4-fenileno} (HTMA-PFP) em solução aquosa de poli (álcool vinílico) (PVA) e numa matriz de gel PVA/bórax. Foram estudados os efeitos de PVA nos espectros de absorção e de fluorescência de PBS-PFP e HTMA-PFP em soluções aquosas, e a desagregação dos polieletrólitos conjugados foi observado, Também foram estudados os efeitos do PVA na viscosidade, condutibilidade elétrica e de libertação de contra-iões. O PVA reduz a eficiência de supressão de fluorescência de PBS-PFP por Ca(II) ou de HTMA-PFP por iodeto, provavelmente por encapsulamento dos polieletrólitos conjugados. Foi observada a transferência de energia entre PBS-PFP e Ru(bpy)32+ em solução aquosa na presença de PVA. Com HTMA-PFP, foi feito uma comparação da supressão de luminescência por I- em solução e em géis de PVA/bórax. A supressão em géis depende do tempo devido a difusão lenta do anião no gel. .
URI: https://hdl.handle.net/10316/25194
Direitos: openAccess
Aparece nas coleções:UC - Dissertações de Mestrado
FCTUC Química - Teses de Mestrado

Ficheiros deste registo:
Ficheiro Descrição TamanhoFormato
Tese Joana Pragana.pdf2.27 MBAdobe PDFVer/Abrir
Mostrar registo em formato completo

Visualizações de página 50

584
Visto em 23/abr/2024

Downloads

179
Visto em 23/abr/2024

Google ScholarTM

Verificar


Todos os registos no repositório estão protegidos por leis de copyright, com todos os direitos reservados.